特許

J-GLOBAL ID：200903009328126721

半導体デバイスの製造方法

発明者： 那倉 康一 ,  諏訪内 尚克 ,  菊地 修司 ,  岩田 尚史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318235
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124445
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、全く新規な解析データのサンプリング手法を確立し、これによって製造歩留まりを向上させることにある。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、ウエハをウエハ単位もしくはバッチ単位で処理する処理工程と、該処理されたウエハに形成された素子の特性を測定する素子特性測定工程と、ウエハに形成されたチップの電気的特性から歩留まりを算出する歩留算出工程と、該素子特性と該歩留まりとの相関を算出する相関算出工程とを有し、該算出された相関に基づいて該ウエハ処理工程を管理する半導体デバイスの製造方法であって、該素子特性測定工程で測定された測定結果に、ウェハ内の測定された位置を示す識別情報と測定されたウエハが挿入されたロット内の位置に関する識別情報とそのロットが挿入されたバッチの識別情報とそのウエハもしくはロットのバッチ内の位置に関する識別情報とを付加し、該識別情報を用いて測定結果をサンプリングし、該サンプリングされた測定結果に基づいて素子特性と歩留まりとの相関を算出させるものである。

請求項（抜粋）：

ウエハをウエハ単位もしくはバッチ単位で処理する処理工程と、該処理されたウエハに形成された素子の特性を測定する素子特性測定工程と、ウエハに形成されたチップの電気的特性から歩留まりを算出する歩留算出工程と、該素子特性と該歩留まりとの相関を算出する相関算出工程とを有し、該算出された相関に基づいて該ウエハ処理工程を管理する半導体デバイスの製造方法であって、該素子特性測定工程で測定された測定結果に、ウェハ内の測定された位置を示す識別情報と測定されたウエハが挿入されたロット内の位置に関する識別情報とそのロットが挿入されたバッチの識別情報とそのウエハもしくはロットのバッチ内の位置に関する識別情報とを付加し、該識別情報を用いて測定結果をサンプリングし、該サンプリングされた測定結果に基づいて素子特性と歩留まりとの相関を算出させることを特徴とする電子デバイスの製造方法。