特許
J-GLOBAL ID：200903009332648058

ヘテロアセン誘導体、テトラハロターフェニル誘導体及びそれらの製造方法

発明者：
渡辺 真人

渡辺 真人 について


出願人/特許権者：
東ソー株式会社

東ソー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-194346
公開番号（公開出願番号）：特開2008-081494
出願日： 2007年07月26日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及び耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。【解決手段】一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体を、テトラハロターフェニル誘導体をメタル化剤を用いてテトラメタル化し、反応剤で処理する。(ここで、置換基R1〜R4は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数4〜30のアリール基、炭素数3〜20のアルキル基、炭素数1〜20のハロゲン化アルキル基を示し、T1及びT2は同一又は異なって、硫黄、セレン、テルル、酸素、リン、ホウ素、アルミニウムを示し、l及びmは、各々0又は1の整数である。)【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されることを特徴とするヘテロアセン誘導体。
IPC (10件)：
C07F 9/656 ,  C07F 5/02 ,  C07C 17/263 ,  C07C 25/18 ,  C07D 495/22 ,  C07D 495/04 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  C07D 333/62
FI (10件)：
C07F9/6568 ,  C07F5/02 Z ,  C07C17/263 ,  C07C25/18 ,  C07D495/22 ,  C07D495/04 101 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J ,  C07D333/62
Fターム (30件)：
4C071AA01 ,  4C071AA08 ,  4C071BB01 ,  4C071BB03 ,  4C071BB07 ,  4C071BB08 ,  4C071CC22 ,  4C071CC24 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071KK01 ,  4C071LL10 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB84 ,  4H006AC22 ,  4H006BA25 ,  4H006BA48 ,  4H039CA41 ,  4H048AA01 ,  4H048AA02 ,  4H048AA03 ,  4H048AB91 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AA03 ,  4H050AB91 ,  4H050WA01 ,  4H050WA26
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 有機半導体素子
    公報種別：再公表公報   出願番号：JP2002008070   出願人：旭化成株式会社
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (4件)
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