特許

J-GLOBAL ID：200903009334174266

液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法

発明者： 平山 拓 ,  佐藤 充 ,  脇屋 和正 ,  岩下 淳 ,  吉田 正昭
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-039772
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101498
出願日： 2004年02月17日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液体の変質を同時に防止し、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。【解決手段】露光プロセスに用いる露光光に対して透明で、その沸点が70〜270°Cであるフッ素系溶剤から構成した液体を、液浸露光の浸漬液として使用する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

液体を介してレジスト膜を露光する液浸露光プロセスに用いて好適な浸漬液であって、 前記露光プロセスに用いる露光光に対して透明で、その沸点が70〜270°Cであるフッ素系液体から構成されていることを特徴とする液浸露光プロセス用浸漬液。

IPC (5件)：

H01L21/027 ,  G03F7/032 ,  G03F7/075 ,  G03F7/207 ,  G03F7/38

FI (5件)：

H01L21/30 515D ,  G03F7/032 ,  G03F7/075 511 ,  G03F7/207 H ,  G03F7/38 501

Fターム (26件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB28 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA01 ,  2H025FA08 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096DA10 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA18 ,  2H096EA27 ,  5F046BA03 ,  5F046CB01 ,  5F046CB25 ,  5F046DA12