特許
J-GLOBAL ID：200903009334433121
弾性表面波装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮▲崎▼ 主税
, 目次 誠
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004011364
公開番号（公開出願番号）：WO2005-034347
出願日： 2004年08月06日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
IDT電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、IDTの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。電気機械結合係数kの2乗が0.025以上のLiNbO3からなる圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されており、Alよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはAlよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも1つの電極と、前記少なくとも1つの電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第1絶縁物層と、前記電極及び第1絶縁物層を被覆するように形成された第2絶縁物層とを備え、前記電極の密度が、前記第1絶縁物層の1.5倍以上である、弾性表面波装置。
請求項（抜粋）：
電気機械結合係数の2乗(k2)が0.025以上のLiNbO3からなる圧電性基板と、
前記圧電性基板上に形成されており、Alよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはAlよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも1つの電極と、
前記少なくとも1つの電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第1絶縁物層と、
前記電極及び第1絶縁物層を被覆するように形成された第2絶縁物層とを備え、
前記電極の密度が、前記第1絶縁物層の1.5倍以上である、弾性表面波装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
5J097AA01
, 5J097DD29
, 5J097FF03
, 5J097HA02
, 5J097KK06
, 5J097KK09
