特許

J-GLOBAL ID：200903009334552619

マイクロ慣性センサ及びその製造方法

発明者： 安 承道 ,  金 京洙 ,  ▲ちょ▼ 智萬
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-376455
公開番号（公開出願番号）：特開2003-294451
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：

【要約】【課題】 製品の小型化及び製造工程の簡易化を図る。【解決手段】 下部ガラス基板と、前記基板上に縁部、固定点、及び水平方向の静電容量を感知するための側面運動感知用構造体を含む下部シリコンと、前記下部シリコン層の縁部、固定点及び構造物に各々対応する縁部、上側に金属配線が形成されたビアホールが連結した固定点、及び前記構造物との間で垂直方向の静電容量を感知するための上部感知用電極層を含む上部シリコンと、前記上部シリコン及び下部シリコン間の接合層と、前記上部シリコンの上部に位置して金属配線が形成されたビアホールが設けられた上部基板とから構成されている。

請求項（抜粋）：

下部ガラス基板と、前記下部ガラス基板上に、縁部、固定点、及び側面運動感知用構造体を含む下部シリコンと、前記下部シリコンの縁部、固定点、及び構造体に各々対応する縁部、上側に金属配線が形成されたビアホールが連結された固定点、及び上部感知用電極を含む上部シリコンと、前記上部及び下部シリコン間で熱融着される接合層と、前記上部シリコンの上部に位置して導電配線が形成されたビアホールが具備された上部ガラス基板とからなるマイクロ慣性センサ。

IPC (6件)：

G01C 19/56 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84

FI (6件)：

G01C 19/56 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125 Z ,  H01L 29/84 Z

Fターム (16件)：

2F105BB13 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112DA04 ,  4M112DA08 ,  4M112DA18 ,  4M112DA20 ,  4M112EA02 ,  4M112EA04 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• マイクロセンサ及びそのパッケージ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-372901   出願人：三星電機株式会社