特許

J-GLOBAL ID：200903009335973200

キャパシタ層形成材及びそのキャパシタ層形成材の製造方法

発明者： 阿部 直彦 ,  杉岡 晶子 ,  菅野 明弘 ,  中島 弘毅
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 吉村 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-133693
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310666
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】ゾル-ゲル法、MOCVD法、スパッタリング蒸着法のいずれかで形成した誘電層を備えるキャパシタ回路のリーク電流を小さくするキャパシタ層形成材を提供する。【解決手段】上部電極形成材と下部電極形成材との間に誘電層を備えるキャパシタ層形成材において、当該誘電層は、ゾル-ゲル法、MOCVD法、スパッタリング蒸着法のいずれかで形成した酸化物誘電膜であり、当該酸化物誘電膜を構成する粒子間に樹脂成分を含浸させたことを特徴としたキャパシタ層形成材等を採用する。また、本件発明に係るキャパシタ層形成材の製造方法としては、下部電極の構成材の表面に、ゾル-ゲル法、MOCVD法、スパッタリング蒸着法のいずれかで酸化物誘電膜を形成し、当該酸化物誘電膜の表面に、樹脂ワニスを塗工して含浸させ、樹脂乾燥、樹脂硬化し誘電層を形成し、その後、当該誘電層の上に上部電極構成層を設けることを特徴とした製造方法を採用する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

上部電極形成に用いる第1導電層と下部電極形成に用いる第2導電層との間に誘電層を備えるキャパシタ層形成材において、 当該誘電層は、ゾル-ゲル法、MOCVD法、スパッタリング蒸着法のいずれかで形成した酸化物誘電膜であり、当該酸化物誘電膜を構成する粒子間に樹脂成分を含浸させたことを特徴としたキャパシタ層形成材。

IPC (2件)：

H01G 4/33 ,  H01G 13/00

FI (2件)：

H01G4/06 102 ,  H01G13/00 391C

Fターム (9件)：

5E082AB02 ,  5E082BB07 ,  5E082CC01 ,  5E082CC02 ,  5E082EE05 ,  5E082EE37 ,  5E082FG42 ,  5E082MM22 ,  5E082MM24

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 多層集積薄膜金属抵抗器を有するプリント配線板とその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-606018   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 高誘電率誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-287767   出願人：富士通株式会社
• 薄膜キャパシタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-178685   出願人：日本電気株式会社
• 酸化物誘電体薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-084411   出願人：住友電気工業株式会社