特許

J-GLOBAL ID：200903009336160165

半導体装置及びその製造方法

発明者： 八木原 俊樹 ,  藤井 正己 ,  黒須 俊樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007326
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216167
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】臘材厚さを均一にすることにより、他の性能を犠牲にすること無く信頼性のバラツキを低減でき、且つ信頼性の高い半導体装置を提供すること。【構成】金属ベース2の上に、電極処理を施した絶縁基板4bを配置し、その上に半導体素子1が積層配置され、各々を臘材5にて接着した半導体装置において、臘材中に臘材厚より小さい粒径の微細粒子8を30%以下で含有している臘材である半導体装置。

請求項（抜粋）：

金属ベースの上に、電極処理を施した絶縁基板を配置し、その上に半導体素子が積層配置され、各々が臘材にて接着した半導体装置において、臘材中に臘材厚より小さい粒径の微細粒子を30%以下で含有している臘材である事を特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-102940
  
• 特開平2-207539
  
• 特開昭62-197292
  
• 特開昭55-072046