III-V族半導体層に上部層が積層されている構造体とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-302514
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114802
出願日： 2004年10月18日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】 GaN層24の表面に上部層が積層されている構造体を製造するときに、GaN層24の表面が損傷することなく、その表面に形成されている自然酸化膜の酸化ガリウム膜を除去する。【解決手段】 GaN層24の表面に酸化シリコンからなるSiO2層26が積層されている構造体を製造する方法であり、GaN層24の表面を非プラズマ状態のアンモニアを含むガスに曝す曝露工程と、そのアンモニアガスに曝露されたGaN層24の表面にSiO2層26を積層する積層工程を備えていることを特徴としている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III-V族半導体層の表面に上部層が積層されている構造体を製造する方法であり、上部層積層前のIII-V族半導体層の表面を非プラズマ状態のアンモニアを含むガスに曝す曝露工程と、前記ガスに曝露されたIII-V族半導体層の表面に上部層を積層する積層工程と、を備えていることを特徴とする製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417

FI (6件)：

H01L21/205 , H01L21/28 A , H01L21/316 X , H01L29/78 301B , H01L29/58 G , H01L29/50 M

Fターム (53件)：

4M104AA04 , 4M104BB01 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD23 , 4M104DD78 , 4M104DD92 , 4M104GG02 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG12 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AC12 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AE19 , 5F045BB14 , 5F045HA03 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BE04 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BJ01 , 5F140AA26 , 5F140BA06 , 5F140BD06 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF60 , 5F140BG31 , 5F140BG38 , 5F140BG46 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ27 , 5F140BK16 , 5F140BK25 , 5F140BK38 , 5F140CC03 , 5F140CF05

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-084336 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (5件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-267899 出願人：松下電器産業株式会社
積層体の製造方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-066251 出願人：沖電気工業株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-012768 出願人：三星電子株式会社

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