特許
J-GLOBAL ID：200903009344643302
高品質半導体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-008101
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221026
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【構成】 特定の膜厚みの薄膜形成と品質向上を行う熱処理工程を繰り返すことにより、半導体薄膜の品質向上を行うことが可能である高品質半導体薄膜形成方法。【効果】 本発明により、従来技術では十分ではなかった薄膜の品質向上を、特定の膜厚みと熱処理条件を選択することにより、可能となった。
請求項（抜粋）：
基板上に、半導体薄膜用原料ガスを励起エネルギーを用いて、気相分解することにより半導体薄膜を特定の厚み形成した後、その薄膜に熱処理を施し、これらの操作を繰り返し行い、所定の膜の厚みを形成することを特徴とする高品質半導体薄膜を形成する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/324
, H01L 31/04
