特許

J-GLOBAL ID：200903009347376925

半導体集積回路装置

発明者： 高瀬 弘嗣
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127742
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327456
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】入出力ラインに異常な高電圧が印加された際に入出力ラインに接続される回路を保護し、高電位側電源の電圧が定常状態より低いときにおいて、入出力ラインのレベルに影響を与えない保護回路を、簡単な構成によって提供することを目的とする。【構成】高電位側保護ダイオード2は入力(または出力)ライン1と高電位側電源VDDの間において逆バイアスになるように接続され、低電位側保護ダイオード3は入力(または出力)ライン1と低電位側電源VSSの間において逆バイアスになるように接続されている。遮断回路4は高電位側電源VDDの電圧が定常状態より低いときに、高電位側保護ダイオード2と入力(または出力)ライン1とを遮断する。従って、高電位側電源VDDの電圧が定常状態より低いときには、遮断回路4により高電位側保護ダイオード2と入力(または出力)ライン1とが遮断される。

請求項（抜粋）：

入力または出力ライン(1)と高電位側電源(VDD)の間において、逆バイアスになるように接続された高電位側保護ダイオード(2)と、入力または出力ライン(1)と低電位側電源(VSS)の間において、逆バイアスになるように接続された低電位側保護ダイオード(3)とからなる保護回路を有する半導体集積回路装置において、前記高電位側電源(VDD)の電圧が定常状態より低いときに、前記高電位側保護ダイオード(2)と入力または出力ライン(1)を遮断する遮断回路(4)を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H03K 19/003 ,  H01L 23/62 ,  H01L 27/04 ,  H03K 17/08