半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048596
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251441
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路装置の製造方法において、絶縁膜表面と配線表面とを同一面に、かつ、平坦化し、多数の配線層を重ねられるようにする。【構成】配線金属体形成予定領域を除く領域に選択的に絶縁物を形成し、配線金属体形成予定領域に選択的に金属を埋め込むことにより、表面が完全に平坦化されるので、多数の配線層を重ねられる。更に、配線の厚さは、絶縁物の厚さにより決まるので、任意に決めることができる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路装置の配線金属体を形成する当たり、当該配線金属体形成予定領域を除く領域に選択的に絶縁物を形成する工程、前記配線金属体形成予定領域に選択的に金属を埋め込む工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

前のページに戻る