特許

J-GLOBAL ID：200903009359496780

多層材料及びその製造方法

発明者： フランソワーズ・コルマ・レグエ ,  バーナード・ステイール・マイヤーソン
出願人/特許権者： インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118816
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129201
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 特に700〜900°Cの範囲の温度でのデバイス製造プロセスにおいて、デバイス形成層またはエピタキシャル成長の基板層として用いられる最上層の表面に貫通するミスフィット転位の数を低減する。【構成】 単結晶基板12の上に、格子定数が厚さ1000Å毎に約2%以下変化するグレーディッド組成の複数のエピタキシャル層16、20、22を形成して多層構造を形成する。これらのエピタキシャル層16、20、22では、ミスフィット転位が形成されてひずみが除去され、このミスフィット転位がそれぞれの層の端に移動する。【効果】 低欠陥密度を有する完全に緩和した不整合構造が得られ、それによって最上層の表面に貫通するミスフィット転位の数が低減される。

請求項（抜粋）：

低欠陥の最上層を有する多層材料であって、第一の組の格子定数を有する第一の元素の単結晶基板と、上記第一の元素及び第二の元素のAx B1-x の形のグレーディッド組成の複数のエピタキシャル層であって、選択された数の上記複数のエピタキシャル層における上記第一及び第二の元素の上記組成は上記エピタキシャル層の一つまたはそれ以上の格子定数を厚さ1000Å毎に約0.025から約2%の範囲内で変化させるように選択され、上記選択された数の上記複数のエピタキシャル層におけるミスフィット転位が形成され、上記選択された数の上記複数のエピタキシャル層のそれぞれの端に移動してひずみが除去され、上記選択された数の上記複数のエピタキシャル層の上の層に不整合膜が形成されるものとを有する多層材料。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-294877
  
• 特開昭61-104611
  
• 特開昭63-014418