半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：日向寺雅彦 , 松山允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-008416
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203568
出願日： 2004年01月15日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【目的】バリアメタルの層間絶縁膜への拡散を防ぐことができる半導体装置或いは半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】基体100の上に、絶縁性材料を用いた多孔質絶縁膜120を形成する多孔質絶縁膜形成工程(S104)と、前記多孔質絶縁膜120に開口部150を形成する開口部形成工程(S108)と、前記開口部形成工程(S108)により形成された開口部150の内面にSiとCとHとを含有するSiCH膜160を形成する化合物膜形成工程(S110)と、前記化合物膜形成工程(S110)によりSiCH膜160が内面に形成された開口部150にバリアメタル材料を用いたバリアメタル膜170を形成するバリアメタル膜形成工程(S114)を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体の上に、絶縁性材料を用いた絶縁薄膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁薄膜に開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部形成工程により形成された開口部の内面にSi(珪素)とC(炭素)とH(水素)とを含有する化合物膜を形成する化合物膜形成工程と、前記化合物膜形成工程により化合物膜が内面に形成された開口部にバリアメタル材料を用いたバリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程と、を備え、前記化合物膜形成工程において、所定のガスを用いた化学気相成長法により前記化合物膜を形成し、前記所定のガスは、酸化性原料を実質的に含まないことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/768 , C23C16/42 , H01L21/312

FI (4件)：

H01L21/90 C , C23C16/42 , H01L21/312 C , H01L21/90 K

Fターム (85件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA24 , 4K030BA27 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030DA08 , 4K030FA03 , 4K030JA01 , 4K030LA15 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH36 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033JJ36 , 5F033KK01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033RR29 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033TT07 , 5F033WW02 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX10 , 5F033XX14 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX28 , 5F033XX34 , 5F058AA05 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF02 , 5F058AH02 , 5F058AH05 , 5F058BA05 , 5F058BC04 , 5F058BD06 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BJ02 , 5F058BJ05

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-164226 出願人：セイコーエプソン株式会社

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