特許

J-GLOBAL ID：200903009362842045

相補型集積回路とその製造方法

発明者： 竹内 潔
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052323
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252370
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 nチャネルFETとpチャネルFETとで異なるゲート材料を用い、かつゲート空乏化の問題を抑えた、微細かつ高性能な相補型MISFET集積回路を容易に製造する手段を提供する。【解決手段】 ジルコニウムまたはハフニウムから選択された一つで構成される第1の金属材料をゲート電極11とするnチャネル素子21と、珪化白金、珪化イリジウム、コバルト、ニッケル、ロジウム、パラジウム、レニウム、金から選択された一つで構成される第2の金属材料をゲート電極12とするpチャネル素子22とを有することを相補型集積回路20。

請求項（抜粋）：

ジルコニウムまたはハフニウムから選択された一つで構成される第1の金属材料をゲート電極とするnチャネル素子と、珪化白金、珪化イリジウム、コバルト、ニッケル、ロジウム、パラジウム、レニウム、金から選択された一つで構成される第2の金属材料をゲート電極とするpチャネル素子とを有することを特徴とする相補型集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/46 Z ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (45件)：

4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB22 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD07 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104DD95 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  5F040DA06 ,  5F040DB03 ,  5F040EC04 ,  5F040EC08 ,  5F040EC09 ,  5F040EF02 ,  5F040FA03 ,  5F040FA05 ,  5F040FB01 ,  5F040FB02 ,  5F040FB05 ,  5F040FC10 ,  5F040FC21 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048DA25

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭60-066854
  
• 特開平3-079078
  
• 半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-242059   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド