特許
J-GLOBAL ID：200903009370802435
磁気抵抗効果膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268824
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116728
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 ゼロ磁場前後で直線的に大きな抵抗変化を示し、しかも耐蝕性及び耐熱性に優れた磁気抵抗効果膜を提供する。【解決手段】 本発明に係る磁気抵抗効果膜は、反強磁性薄膜6と、反強磁性薄膜5に接する磁性薄膜3と、磁性薄膜3に接する非磁性薄膜1と、非磁性薄膜1に接する磁性薄膜2とが少なくとも積層され、反強磁性薄膜6のバイアス磁界をHr、磁性薄膜2の保持力をHc2としたとき、Hc2<Hrとしたものである。反強磁性薄膜5は、Ni酸化膜と、20〜100オングストロームの厚みのFe酸化膜との積層体からなる。
請求項（抜粋）：
反強磁性薄膜と、この反強磁性薄膜に接する第一の磁性薄膜と、この第一の磁性薄膜に接する非磁性薄膜と、この非磁性薄膜に接する第二の磁性薄膜とが少なくとも積層され、前記反強磁性薄膜のバイアス磁界をHr、前記第二の磁性薄膜の保持力をHc2としたとき、Hc2<Hrである磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性薄膜がNi酸化膜と20〜100オングストロームの厚みのFe酸化膜との積層体からなることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (3件)：
H01F 10/08
, G11B 5/39
, H01L 43/08
H01F 10/08
, G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
