特許
J-GLOBAL ID：200903009374211865
半導体ウェーハの製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196576
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020896
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 水素雰囲気処理に於ける低温域でのマイクロラフネスの劣化、高温域での電気的に活性な不純物の外方拡散による抵抗率の増大を解決する半導体ウエーハの製造方法の提供。【構成】 水素ガス雰囲気中での加熱処理において、水、酸素等の大気中ガス分子の濃度を水換算で5ppm以下とし、基板表面が不均一に酸化されてマイクロラフネスが劣化する反応を抑制し、さらにSi基板中に含まれている電気的活性不純物と同種の不純物ガスを雰囲気中に混合し、不純物のSi基板表面近傍での外方拡散を防止して抵抗率の変動を防止する。
請求項（抜粋）：
水素ガス雰囲気中で半導体基板を熱処理する方法において、加熱雰囲気中の水分子及び酸素ガス分子濃度を水分子換算で5ppm以下となして熱処理することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
