特許
J-GLOBAL ID：200903009377298279
量子細線構造およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253606
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095121
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 成長した結晶が極めて細い形態をもつ針状結晶であって、その結晶自体がas-grownの状態で、一次元的性質を示す構造を作製する。【構成】 量子細線構造は半導体基板結晶8上にエピタキシャル成長させた針状の半導体結晶であって、針状結晶がその中心部を形成する結晶3とそれを同心状に取り囲む周辺部を形成する結晶3,4からなるヘテロ接合構造を有し、かつ中心部のバンドエネルギーの値が周辺部のバンドエネルギーの値より小さく、さらに中心部の結晶のキャリア濃度が最外周辺部の結晶5のキャリア濃度より小さい。
請求項（抜粋）：
半導体基板結晶上にエピタキシャル成長させた針状の半導体結晶であって、該針状結晶がその中心部を形成する結晶とそれを同心状に取り囲む周辺部を形成する結晶からなるヘテロ接合構造を有し、かつ中心部のバンドエネルギーの値が周辺部のバンドエネルギーの値より小さく、さらに中心部の結晶のキャリア濃度が最外周辺部の結晶のキャリア濃度より小さいことを特徴とする量子細線構造。
IPC (4件)：
H01L 29/804
, H01L 21/20
, H01L 29/203
, H01L 29/66
