特許

J-GLOBAL ID：200903009377579065

半導体の接続構造と半導体の接続方法及び半導体デバイス

発明者： 近藤 浩史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088687
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288973
出願日： 1998年04月01日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子を備えた回路基板をはんだボールを用いて第二回路基板にはんだ接合する。【解決手段】 集積回路体を備えた第一の回路基板と第二の回路基板を接続した半導体において、前記第一の回路基板上に電気接続配線部を設け、該電気接続配線部に貫通穴を形成し、前記貫通穴から表出している前記電気接続配線部上に、前記貫通穴を埋め込むように電極部を生成し、該生成した電極部は前記貫通穴の他面側表面上から突出形成し、前記突出形成した電極部上に導通部材を載置し、導通部材を介して前記第二の回路基板との電気的接続を行う。

請求項（抜粋）：

集積回路体を備えた第一の回路基板と第二の回路基板を接続した半導体において、前記第一の回路基板上の一方の面に電気接続配線部を設け、前記第一の回路基板に、電気接続配線部が露出する穴が形成され、穴を埋め込むように電極部を生成し、該生成した電極部は前記穴の他面側表面上から突出形成し、前記突出形成した電極部上に導通部材を載置し、導通部材を介して前記第二の回路基板との電気的接続を行うようにしたことを特徴とした半導体の接続構造。

IPC (5件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H05K 1/18

FI (5件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/28 A ,  H05K 1/18 U ,  H01L 23/12 L