特許
J-GLOBAL ID：200903009382307901
金属カルコゲニド複合材料ナノ-粒子及びそれを有する層
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小田島 平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-535035
公開番号（公開出願番号）：特表2005-538518
出願日： 2002年09月12日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
p-型半導性カルコゲニドナノ-粒子を形成しうる金属及びn-型半導性カルコゲニドナノ-粒子を形成しうる金属を含んでなり、ここで金属カルコゲニドの少なくとも1つが1.0〜2.9eVのバンド-ギャップを有し、p-型半導性カルコゲニドナノ-粒子を形成しうる金属の濃度が金属の少なくとも5原子パーセントであり、且つ金属の50原子パーセント未満である金属カルコゲニド複合材料ナノ-粒子;その分散液;ナノ-粒子を含んでなる層;ならびに層を含んでなる光起電力装置。
請求項（抜粋）：
p-型半導性カルコゲニドナノ-粒子を形成しうる金属及びn-型半導性カルコゲニドナノ-粒子を形成しうる金属を含んでなり、ここで該金属カルコゲニドの少なくとも1つが1.0〜2.9eVのバンド-ギャップを有し、該p-型半導性カルコゲニドナノ-粒子を形成しうる金属の濃度が該金属の少なくとも5原子パーセントであり且つ該金属の50原子パーセント未満である金属カルコゲニド複合材料ナノ-粒子。
IPC (3件)：
H01M14/00
, C01G9/08
, H01L31/04
H01M14/00 P
, C01G9/08
, H01L31/04 E
5F051AA07
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5H032AA06
, 5H032AS17
, 5H032BB10
, 5H032EE04
, 5H032EE12
, 5H032HH01
, 5H032HH08
