特許

J-GLOBAL ID：200903009384957423

回路内蔵受光素子およびその製造方法

発明者： 山本 元彦 ,  久保 勝
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008298
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198788
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 回路内蔵受光素子のS/N比向上と高集積化を達成する。【構成】 P型半導体基板1の表面のN型エピタキシャル層3に、絶縁膜容量CのN+ 型拡散層6と、フォトダイオードAのN+ 型拡散層6とを同時に形成する。

請求項（抜粋）：

1枚の半導体基板上に形成された受光素子と信号処理回路とにより構成され、受光素子は、第1の導電型の半導体基板と、その上に形成した第2導電型の半導体層と、この第2導電型の半導体層上に形成した高不純物濃度の第2導電型の半導体層と、その上に積層した受光素子の表面反射防止絶縁膜とを有することを特徴とする回路内蔵受光素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-205564
  
• 特開昭64-049282
  
• 特開平4-271173