特許

J-GLOBAL ID：200903009399164748

受光素子

発明者： 青柳 利隆 ,  河野 実 ,  境野 剛
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-130874
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321892
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 光吸収層の一部で局所的に電子-正孔対が形成されることによる電極間印加バイアスに対する局所的な逆方向バイアスの発生を抑え、変調歪を低減したアナログ光通信用受光素子を提供する。【解決手段】 信号光の入射による光吸収層における局所的な電子-正孔対の形成を防止することにより、電極間印加バイアスに対する逆方向バイアスの発生を抑える。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層とアンドープ光吸収層とアンドープもしくは半絶縁性半導体層とを順次積層形成し、上記アンドープもしくは半絶縁性半導体層中の該アンドープもしくは半絶縁性半導体層表面から上記アンドープ光吸収層に至る領域に、信号光が入射する第2導電型の半導体層を形成し、上記第1導電型の半導体層と上記第2導電型の半導体層との間に逆バイアスを印加した受光素子において、上記アンドープ光吸収層が、上記信号光の過剰吸収領域が形成されないように上記アンドープ光吸収層の光吸収係数を上記信号光の入射方向に沿って順次大きくした領域を含むことを特徴とする受光素子。