特許
J-GLOBAL ID：200903009401628846
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-295551
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124392
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 リード端子17先端部に高さの差を付けることにより、ワイヤ間の接触事故を防止した、マルチチップ型の半導体装置を提供する。【解決手段】 アイランド13上に第1の半導体チップ10を固着し、第1の半導体チップ10の上に第2の半導体チップ11を固着する。第1の半導体チップ10とリード端子17とを第1のボンディングワイヤ16aで、第2の半導体チップ11とリード端子17とを第2のボンディングワイヤ16bで接続する。リード端子17先端部には第1のエリア17aと第2のエリア17bを具備し、リードを曲げることによって、第1のエリア17aの高さ位置が第2のエリア17bよりも下に位置するように形成する。第1のボンディングワイヤ16aが第1のエリア17a表面にセカンドボンドされ、第2のボンディングワイヤ16bが第2のエリア17b表面にセカンドボンドされる。
請求項（抜粋）：
第1と第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップの表面に形成した第1の電極パッド、及び前記第2の半導体チップの表面に形成した第2の電極パッドと、外部接続用のリード端子と、前記外部接続リードの、セカンドボンディング用の第1と第2のエリアと、前記第1の電極パッドと前記第1のエリアとを接続する第1のワイヤと、前記第2の電極パッドと前記第2のエリアとを接続する第2のワイヤとを具備し、前記第1と第2の半導体チップを重畳して1つのパッケージに封止した半導体装置において、前記第1のエリアの高さを、前記第2のエリアに対して低く形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
