特許
J-GLOBAL ID:200903009402238391
導電膜および導電膜の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-060115
公開番号(公開出願番号):特開2003-151362
出願日: 2002年03月06日
公開日(公表日): 2003年05月23日
要約:
【要約】【課題】湿式形成導電膜における従来の350〜400°C以上(ITO微粒子の場合)、150〜200°C以上(金属微粒子の場合)、よりも低い熱処理温度で、プラスチック基材も適用可能な導電膜およびその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 少なくとも導電層を有する導電膜の製造方法において、少なくとも導電性微粒子とバインダと金属イオンを含む前駆導電層を還元処理し、導電層を形成することを特徴とする導電膜の製造方法およびそれにより製造された導電膜を提供するものである。
請求項(抜粋):
少なくとも導電性微粒子とバインダと金属イオンとを含む前駆導電層を還元処理した導電層を有することを特徴とする導電膜。
IPC (4件):
H01B 5/14
, G02F 1/1343
, H01B 13/00 503
, H01L 21/283
FI (4件):
H01B 5/14 A
, G02F 1/1343
, H01B 13/00 503 B
, H01L 21/283 A
Fターム (35件):
2H092GA11
, 2H092GA31
, 2H092GA64
, 2H092HA04
, 2H092HA11
, 2H092MA10
, 2H092MA12
, 2H092MA13
, 2H092MA37
, 2H092NA27
, 2H092NA28
, 2H092PA01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB36
, 4M104DD51
, 4M104DD78
, 4M104DD81
, 4M104DD86
, 4M104GG05
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FB02
, 5G307FC03
, 5G323BA01
, 5G323BA02
, 5G323BA05
, 5G323BB02
, 5G323BC01
, 5G323BC02
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