特許
J-GLOBAL ID：200903009403599428
位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びそれらの製造方法。
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
石島 茂男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091401
公開番号（公開出願番号）：特開平8-262688
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 光学的特性と耐薬品性を満足させ、パターン精度がよく、パターン欠けが生じない位相シフトフォトマスクを提供することにある。【構成】 露光光の位相をシフトさせる位相シフト膜10、40を成膜する際、厚みの中央付近を、単一の組成で成膜したときにサイドエッチング速度Sが遅い組成にして位相シフトフォトマスクブランクス31、37を作り、前記位相シフト膜10、40の厚み方向で異なるサイドエッチング量の差を小さくし、ドライエッチングにより位相シフトフォトマスク35、39を作る際、シフター部7、17の側面を透明基板5、15から略垂直に立ち上げる。この位相シフト膜としてモリブデンシリサイド酸化窒化膜を用いる場合にはスパッタリングの際のNOガス添加割合を調節すればよい。
請求項（抜粋）：
透明基板上に露光光の位相をシフトさせる位相シフト膜を成膜して位相シフトフォトマスクブランクスを製造する位相シフトフォトマスクブランクス製造方法であって、前記位相シフト膜の成膜の際、該位相シフト膜の厚みの中央付近を、単一の組成で成膜したときにサイドエッチング速度が遅い組成とし、パターンニングされたフォトレジスト膜で前記位相シフト膜をマスクしてドライエッチングするときの、前記位相シフト膜の厚み方向で異なるサイドエッチング量の差を小さくしたことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
