特許

J-GLOBAL ID：200903009408810739

パターン形成方法

発明者： 伊藤 正光 ,  佐藤 信二 ,  馬越 俊幸 ,  杉原 和佳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268893
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111594
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 パターンの解像性や寸法制御性がよく、優れた解像力と高スループット性を備えたパターン形成法を得る。【解決手段】 被処理基板上に形成された感光材に対する所望のパターン転写をレチクルマスクを用いた光露光と荷電ビーム露光とで行い、かつ少なくとも光露光の解像限界以下のパターン転写は荷電ビーム露光で行うパターン形成方法において、光露光パターンが荷電ビーム露光時に生じる後方散乱電子によって受ける影響を抑制するように所定の補正を施してパターン形成を行う。

請求項（抜粋）：

被処理基板上に形成された感光材に対する所望のパターン転写をレチクルマスクを用いた光露光と荷電ビーム露光とで行い、かつ少なくとも光露光の解像限界以下のパターン転写は荷電ビーム露光で行うパターン形成方法において、光露光パターンが荷電ビーム露光時に生じる後方散乱電子によって受ける影響を抑制するように所定の補正を施してパターン形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (4件)：

H01L 21/30 502 A ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 514 E ,  H01L 21/30 541 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-087616
  
• 特開昭59-117214