特許

J-GLOBAL ID：200903009409691164

半導体製造装置

発明者： 石塚 隆治 ,  柳川 秀宏 ,  小竹 繁
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-114581
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297993
出願日： 2000年04月17日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 クリーンユニットのファンの径が大きいときにも、半導体製造装置の幅を小さくする。【解決手段】 半導体ウェハを熱処理する反応室26を設け、反応室26のシールキャップ25を昇降するエレベータ24を設け、エレベータ24に対向してボートを移動させるボート交換装置27を設け、天井面に空気導入口33を設け、空気導入口33に連通して空気導入ダクト34を設け、ボート交換装置27の近傍にクリーンユニット40を設け、クリーンユニット40の本体41の前部に空気導入ダクト34に連結された空気導入路42を設け、本体41の後部にチャンバ44を設け、空気導入路42とチャンバ44との間にターボファン43を設け、本体41にフィルタ45を着脱可能に取り付け、ターボファン43の回転面とフィルタ45の表面とをほぼ平行かつ並列に配置する。

請求項（抜粋）：

ファンと、フィルタと、上記ファンにより生ずる気流を上記フィルタに導く空間とを有し、上記フィルタを通過した気流を装置内に送出するクリーンユニットを具備する半導体製造装置において、上記クリーンユニットの上記ファンの回転面と上記フィルタの表面とをほぼ平行かつ並列に配置したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (7件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 ,  C23C 14/56 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/54

FI (7件)：

H01L 21/22 511 B ,  H01L 21/22 511 Q ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 A ,  C23C 14/56 G ,  C23C 16/44 F ,  C23C 16/54

Fターム (30件)：

4K029BD01 ,  4K029DA00 ,  4K029DA01 ,  4K029GA01 ,  4K029KA02 ,  4K029KA09 ,  4K030DA09 ,  4K030GA12 ,  4K030GA13 ,  4K030KA08 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA05 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031GA02 ,  5F031GA47 ,  5F031GA48 ,  5F031GA49 ,  5F031GA50 ,  5F031HA67 ,  5F031MA28 ,  5F031NA03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045EM08 ,  5F045EM10