特許

J-GLOBAL ID：200903009409994353

シリコンウェーハの評価法及びその装置

発明者： 荻田 陽一郎
出願人/特許権者： 学校法人幾徳学園 ,  昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-127314
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338547
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 VLSI等が組込まれるシリコンウェーハ表面の特性を、非破壊、非接触な方法で測定し評価する方法と装置を提供する。【構成】 シリコンウェーハ表面に励起光と電磁波を同時に照射し、励起したエレクトロンが再結合する際の光導電減衰過程で振幅最大値に達するまでの変化を利用し、反射してくる電磁波の光導電波形を解析して、ウェーハの表面状態を評価する。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハ表面の同一位置にインパルス光と電磁波を同時に照射し、反射する電磁波を検出し、インパルス光照射時及び照射直後の光導電変化を利用して表面及び表面層の特性を解析することを特徴とするシリコンウェーハの評価法。