特許
J-GLOBAL ID：200903009414632753
固体撮像素子の入力回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025690
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244403
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は固体撮像素子の入力回路に関し、スキミング及びパーティション動作を行ない、構造が簡単で構成面積が小さく小型化できることを目的とする。【構成】 2つの蓄積電極(45,47)は、半導体基板上に絶縁膜を介して設けられ、画素で光電変換された電荷を蓄積する。分離電極(46)は、上記2つの蓄積電極の間に設けられている。トランジスタ(52)は、一方の蓄積電極により蓄積された電荷を外部に掃き出す。上記一方の蓄積電極(45)下の電位の井戸の深さを他方の蓄積電極(47)下の電位の井戸の深さより深くして上記画素からの電荷を蓄積し、上記分離電極(46)下の電位の井戸を消滅させて2つの蓄積電極(45,47)夫々の下の電位の井戸を分離し、他方の蓄積電極(47)下の蓄積電荷だけを読出す。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して設けられ、画素で光電変換された電荷を蓄積する2つの蓄積電極(45,47)と、上記2つの蓄積電極の間に設けられた分離電極(46)と、一方の蓄積電極により蓄積された電荷を外部に掃き出すトランジスタ(52)とを有し、上記一方の蓄積電極(45)下の電位の井戸の深さを他方の蓄積電極(47)下の電位の井戸の深さより深くして上記画素からの電荷を蓄積し、上記分離電極(46)下の電位の井戸を消滅させて上記2つの蓄積電極(45,47)夫々の下の電位の井戸を分離し、上記トランジスタ(52)を用いて一方の蓄積電極(45)により蓄積された電荷を外部に掃き出し、上記他方の蓄積電極(47)により蓄積された電荷のみを読出すことを特徴とする固体撮像素子の入力回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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