特許

J-GLOBAL ID：200903009423074038

化学的に増幅されたレジストの製造方法

発明者： マイケル フイリップ ボーラー ,  デビッド アントン ミクソン
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-021805
公開番号（公開出願番号）：特開平7-181679
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 デバイス製造用のリソグラフ法におけるレジストポリマーの性能を高める方法を提供する。【構成】 レジストポリマーは酸不安定性官能基を含有する。この官能基が除去され、水素で置換されると、ポリマーはリソグラフ法で使用される塩基性現像水溶液に対して易溶性になる。酸不安定性官能基の一部をポリマーから除去することにより、高感光性,高接着力及びポストベーク中の低膜収縮率を有するレジストポリマーが得られる。ポリマーを適当な溶剤に溶解させ、得られた混合物を、所望の数の酸不安定性官能基がポリマーから除去されるまで、高温度に暴露することにより酸不安定性官能基は除去される。次いで、ポリマーは混合物から回収され、そして、デバイス製造用のリソグラフ法でレジストとして使用される。

請求項（抜粋）：

ポリマー溶液を生成するために、置換基が結合された主鎖と、該置換基の少なくとも一部に結合された酸不安定性官能基とからなる保護ポリマーを、pKaが5よりも大きな有機溶剤に溶解するステップと,このポリマー溶液を100°C〜150°Cの範囲内の温度まで加熱するステップと,保護基の除去されたポリマーを生成するために、前記ポリマー溶液を該温度で、該ポリマーから少なくとも5%の酸不安定性官能基が除去されるのに十分な時間にわたって維持するステップと,からなる化学的に増幅されたレジストの製造方法。

IPC (6件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平2-018564
  
• 特開平2-062544
  
• 特開平2-209977
  
• 特開平2-309358
  
• 特開平3-223858
  
• 特開平4-211258