特許
J-GLOBAL ID：200903009424471243
集積回路装置用バンプ電極の電解めつき方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283370
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121413
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】ウエハ内に作り込まれたチップに単離する前の集積回路装置に対し電解めっきにより成長させるバンプ電極用の突起金属の高さのばらつきを簡単な手段で減少させる。【構成】ウエハ10内のチップ用領域の相互間のスクライブゾーンSZ内に高導電性金属の配電膜15を格子状パターンで配設し、ウエハ内の各チップ用領域を保護膜16で覆ってバンプ電極20を突設すべき個所に窓を明け、ウエハ表面に金属の薄い下地膜17を配電膜15と保護膜16の窓内の配線膜14に接続するよう被着し、下地膜17をめっき電極膜として配線膜14との接続個所上に突起金属18を電解めっきにより成長させる。
請求項（抜粋）：
ウエハ内に作り込まれたチップに単離する前の集積回路装置に対してバンプ電極用の突起金属を電解めっき法により成長させる方法であって、ウエハ内のチップ用領域の相互間のスクライブゾーン内に高導電性金属からなる配電膜を格子状パターンで設け、ウエハ内の各チップ用領域を保護膜で覆いかつ各チップ内の配線膜のバンプ電極を突設すべき個所の上に窓を開口し、ウエハの全面に金属からなる薄い下地膜を配電膜と各チップの保護膜の窓内の配線膜とに接続するように被着し、下地膜をめっき電極としてそのチップの配線膜との接続個所の上に突起金属を電解めっき法により選択的に成長させるようにしたことを特徴とする集積回路装置用バンプ電極の電解めっき方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/288
