特許
J-GLOBAL ID:200903009428048787

電界放出電子エミッタ及びその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 義明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-241326
公開番号(公開出願番号):特開平5-205617
出願日: 1992年08月18日
公開日(公表日): 1993年08月13日
要約:
【要約】【目的】 低い作動電圧および高い表面安定性を有し、イオン衝撃損傷を受けることが少ない電子エミッタを備えた電界放出電子デバイスを実現する。【構成】 選択的に形成された導電性/半導電性電極(402)上に形成されたダイヤモンド材料(406)のコーティングを含む電子エミッタを用いた電界放出電子デバイス、及び導電性/半導電性電極(402)の表面に炭素イオン(404)が注入されこれがダイヤモンド形成に対する核形成位置として機能するステップを含む電界放出電子デバイスの形成方法。
請求項(抜粋):
主表面を有する選択的に形成された導電性/半導電性電極(402を設けるステップと、核形成位置(404)としてのイオンを、導電性/半導電性電極(402)の主表面の少なくとも一部上へ注入するステップと、核形成位置(404)の少なくともいくらかに優先的にダイヤモンドクリスタライト(406)を成長させ、選択的に形成された導電性/半導電性電極(402)の主表面の少なくとも一部上に配置されたダイヤモンドコーティングを有する電子エミッタを得るステップと、を具備することを特徴とする電界放出電子エミッタを形成する方法。
IPC (2件):
H01J 9/02 ,  H01J 1/30

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