特許
J-GLOBAL ID:200903009429488373
2層構造酸化チタン光触媒薄膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
小堀 益 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-065635
公開番号(公開出願番号):特開2000-254519
出願日: 1999年03月11日
公開日(公表日): 2000年09月19日
要約:
【要約】【課題】 アナターゼ型酸化チタンからルチル型酸化チタンへの構造転移温度を低くすることによりアナターゼ型酸化チタン層の上にルチル型酸化チタン層を形成させる方法の提供。【解決手段】アナターゼ型酸化チタン1の表面にイオンを照射した後、アニールしてアナターゼ型酸化チタン1の表面にルチル型酸化チタン3を形成させる2層構造酸化チタン光触媒薄膜の製造方法。アニールの温度は、500〜700°Cの範囲が好ましい。
請求項(抜粋):
アナターゼ型酸化チタンの表面にイオンを照射した後、アニールしてアナターゼ型酸化チタンの表面にルチル型酸化チタンを形成させることを特徴とする2層構造酸化チタン光触媒薄膜の製造方法。
IPC (3件):
B01J 35/02 ZAB
, B01J 21/06
, C01G 23/04
FI (3件):
B01J 35/02 ZAB J
, B01J 21/06 A
, C01G 23/04 C
Fターム (29件):
4G047CA02
, 4G047CB04
, 4G047CB08
, 4G047CC03
, 4G047CD02
, 4G047CD07
, 4G069AA02
, 4G069AA08
, 4G069BA04A
, 4G069BA04B
, 4G069BA48A
, 4G069BB01B
, 4G069BD05B
, 4G069CA01
, 4G069CA07
, 4G069CA10
, 4G069CA11
, 4G069CA13
, 4G069CA17
, 4G069EA08
, 4G069EB15Y
, 4G069EC22X
, 4G069EC28
, 4G069FA01
, 4G069FA03
, 4G069FB02
, 4G069FB30
, 4G069FB58
, 4G069FC07
引用文献:
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