特許
J-GLOBAL ID:200903009436152925

レジストの現像方法およびそれに用いるリンス液

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-030874
公開番号(公開出願番号):特開平10-228117
出願日: 1997年02月14日
公開日(公表日): 1998年08月25日
要約:
【要約】【課題】 ZEPレジストを用いたパタン形成時に、パタンの崩壊を低減させて実質的な解像度を向上させることができるレジストの現像方法を提供する。【解決手段】 基板上にZEPレジストまたはバックミンスターフラーレンを添加したナノコンポジットレジストを塗布し、ベーキングした後、電子ビーム露光を行う。次に、基板を現像溶媒中に浸漬して現像を行った後、パーフルオロペンタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロヘプタン等のパーフルオロカーボン系溶剤を用いてリンスを行い、現像溶媒を洗い流す。最後に基板を乾燥させる。
請求項(抜粋):
現像溶媒を用いて露光後のレジストを現像する現像工程と、1種または複数種のリンス液を用いて前記現像溶媒を洗い流すリンス工程と、前記レジストを乾燥させる乾燥工程を有するレジストの現像方法において、前記レジストとして、α-クロロメタアクリレート-α-メチルスチレン共重合体からなるレジストまたはそのナノコンポジットレジストを用い、前記リンス工程において少なくとも最後に用いるリンス液をパーフルオロカーボン系溶剤とすることを特徴とするレジストの現像方法。
IPC (4件):
G03F 7/30 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/32 501 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/30 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/32 501 ,  H01L 21/30 569 E

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