反射防止被膜を有する半導体素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058407
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255752
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【課題】反射防止被膜を有する半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】反射防止被膜(ARC)(20)を、半導体素子(10)内のポリシリコンまたはアルミニウムのような反射性導電層(18)上に形成する。ARCは窒化アルミニウム層である。フォトリソグラフィの間、ARCは放射光線波(30)を吸収し、特に、248ナノメートルの深紫外線(DUV)放射光線のような、300ナノメートル未満の波長を吸収する。放射光線波は、ARCによって吸収されるので、下地の導電層からの反射が防止される。したがって、レジスト・マスク(34)は、リソグラフィ・マスク(24)上のパターン通りにパターニングされ現像されるので、その結果素子の適切な層に精度の高い複製を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子の製造方法であって:反射層(18)を有する半導体ウエハ(12)を用意する段階;窒化アルミニウムから成る反射防止層(20)を前記反射層上に直接形成する段階;前記反射防止層上にレジスト(22)を堆積する段階;および前記レジストの選択部分を300ナノメートル未満の波長を有する紫外線放射光線(30)に対して露出し、前記紫外線放射光線が前記レジストの選択部分を透過して前記反射防止層に吸収される段階;から成ることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/004 507 , G03F 7/20 502

FI (4件)：

H01L 21/30 574 , G03F 7/004 507 , G03F 7/20 502 , H01L 21/30 514 C

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平1-295420
特開平1-295420
特開平1-223750

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