特許

J-GLOBAL ID：200903009442454151

半導体レーザ装置

発明者： 猪口 和彦 ,  大林 健
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181029
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099373
出願日： 1994年08月02日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 第1導電型の基板1上に、同じ導電型の第1クラッド層2、活性層3、第2導電型の第2クラッド層4を順次積層し、この上に電流狭窄の為、ストライプ溝20を備えた電流阻止層51,52を積層する。電流狭窄の為の電流阻止層は、少なくとも2層の半導体層51,52から構成され、活性層3に近い側には、液相成長を行なう際にメルトバックによる変形を生じない結晶組成で、相対的に禁制帯幅の大きな第1電流阻止層51を配置し、この上にこれよりも禁制帯幅の小さな第2電流阻止層52を配置する。【効果】 第2クラッド層4の層厚が小さい範囲で水平方向の光閉じ込めが行われて、レーザが低雑音化される。また、活性層3に至るキャリヤの横方向の広がりも溝部20で制限されるので、発光効率が増大し、低しきい値電流のレーザが得られる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板上に、少なくとも第1導電型の第1クラッド層、活性層、第2導電型の第2クラッド層が順次積層され、前記第2クラッド層上にはストライプ状の溝を有する電流阻止層が積層され、前記ストライプ状の溝内部及び電流阻止層上に第2導電型の第3クラッド層及び第2導電型のコンタクト層を液相成長法により順次結晶成長する半導体レーザ装置において、前記電流阻止層が少なくとも2層の半導体層からなり、活性層に近い側には相対的に禁制帯幅の大きな第1電流阻止層が配置され、この第1電流阻止層上に相対的に禁制帯幅の小さな第2電流阻止層が配置されてなり、前記第1電流阻止層のAl含有率が0.4以下であり、前記ストライプ状の溝内外の屈折率差(Δn)が、2×10-3乃至5×10-3の範囲内にあることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-181486
  
• 特開昭58-061695
  
• 特開昭59-200483