半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：眞鍋潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304937
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127014
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】半導体装置及びその製造方法に関し、製品チップ内の素子配置等に影響を与えることなく、全ての品種に渡って統一したCMP研磨量の管理を行う。【解決手段】チップ1内の層間絶縁膜の残膜の膜厚を管理する対象となる構造2と同じパターンの被測定対象素子構造4と、光学式膜厚測定パターン5,6とを1組にして、チップ1外のスクライブライン3に設ける。

請求項（抜粋）：

チップ内の層間絶縁膜の残膜の膜厚を管理する対象となる構造と同じパターンの被測定対象素子構造と、光学式膜厚測定パターンとを1組にして、チップ外のスクライブラインに設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , H01L 21/304 621

FI (2件)：

H01L 21/304 621 D , H01L 21/78 L

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