特許
J-GLOBAL ID：200903009445863966
光蝕刻方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-194571
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050241
出願日： 1993年08月05日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 基板上に形成された感光性被膜を、簡便な方法にて、マスクパターンに応じて高精度に形成し、当該感光性被膜を用いた高精度の蝕刻を可能にする。【構成】 ホトリソグラフィ工程では、レジスト塗布工程?@から露光工程?Aに至るまでの間、当該半導体ウェハが所定湿度(35%以下)の雰囲気中に保持される。この結果、レジスト中に余分な水分が含まれることがなく、露光時に生じる脱水反応、若くは架橋反応が、マスクのパターンに対応して正確に行われ、パターン形成の精度が向上する。又、露光工程?A終了時から現像工程?Bまでの間、当該半導体ウェハが湿度管理(35%以下)された雰囲気中に保持される。この結果、露光によって得られた触媒物質が、レジスト部分内に留まり(拡散の抑制)、放置時間を制限しなくとも、精度の高いレジストの現像ができる。
請求項（抜粋）：
基体上に感光性被膜を形成する感光剤塗布工程と、所望のパターンに従って光線を照射して該感光性被膜を露光する工程と、露光された感光性被膜を現像する工程とからなる光蝕刻方法において、上記感光剤塗布工程から上記露光工程に移るまでの間、当該感光性被膜が形成された基体を所定の湿度条件にて保管するようにしたことを特徴とする光蝕刻方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/38 501
