トンネル磁気抵抗効果素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-107610
公開番号（公開出願番号）：特開2003-304012
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】熱的安定性に優れたトンネル磁気抵抗効果素子を得る。【解決手段】トンネル磁気抵抗効果素子のトンネル絶縁層を形成する工程に於いて、トンネル絶縁層前駆体である導電層を形成する第1の工程と、前記導電層を酸化する第2の工程とを含み、導電層を形成する第1の工程において成膜速度が0.4Å/秒以下であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

外部磁界により磁化回転が可能な自由磁性層と、外部磁界により磁化回転可能であって前記自由磁性層よりも磁化回転が困難な固定磁性層と、前記自由磁性層と前記固定磁性層との間に配されたトンネル絶縁層とを具備するトンネル磁気抵抗効果素子において、前記自由磁性層と前記トンネル絶縁層との間、前記固定磁性層と前記トンネル絶縁層との間、の少なくとも一方にアモルファス磁性層が配され、前記自由磁性層の前記アモルファス磁性層側の一部、もしくは前記固定磁性層の前記アモルファス磁性層側の一部が、Fe、Co、Niおよびこれらの合金を主成分とし、さらにRu、Rh、Pd、Ir、Pt、Auから選ばれる少なくとも1種の元素を含むことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (13件)：

H01L 43/08 , C22C 5/00 , C22C 19/00 , C22C 28/00 , C22C 38/00 303 , C22C 45/02 , C22C 45/04 , G11B 5/39 , G11C 11/15 112 , H01F 10/13 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 27/105

FI (14件)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 M , C22C 5/00 , C22C 19/00 H , C22C 28/00 B , C22C 38/00 303 S , C22C 45/02 A , C22C 45/04 B , G11B 5/39 , G11C 11/15 112 , H01F 10/13 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 27/10 447

Fターム (24件)：

5D034BA02 , 5D034BA03 , 5D034BA04 , 5D034BA05 , 5D034CA02 , 5D034CA08 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC01 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5F083FZ10 , 5F083GA30 , 5F083JA05 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR01 , 5F083PR04 , 5F083PR40 , 5F083ZA28

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