フルクトースセンサ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051920
公開番号（公開出願番号）：特開平6-088804
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】信頼性の高いフルクトースセンサを得る。【構成】絶縁性の基板1上に測定極4と対極5を主体とする電極系を設け、前記電極系上に親水性高分子と酵素と電子受容体を含む反応層を設置したフルクトースセンサ。

請求項（抜粋）：

絶縁性の基板に形成した測定極と対極からなる電極系と、前記電極系上に形成した反応層からなり、前記反応層が少なくとも親水性高分子と酵素と電子受容体からなることを特徴とするフルクトースセンサ。

IPC (2件)：

G01N 27/327 , G01N 27/28 331

FI (3件)：

G01N 27/30 353 R , G01N 27/30 353 J , G01N 27/30 353 V

引用特許：

審査官引用 (10件)

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