特許
J-GLOBAL ID:200903009447730092

フォトレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鳥居 洋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-016763
公開番号(公開出願番号):特開平7-226362
出願日: 1994年02月10日
公開日(公表日): 1995年08月22日
要約:
【要約】【目的】 この発明は、自由度の高いマスクを用いて、マスクの変更が容易で且つ微細なパターンを形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、位相シフトマスク等で露光領域全面にラインもしくは格子状のパターンのみを転写するマスクM1を作製し、そのラインもしくは格子を基準として、必要な部分のみを重ねて露光し、解像させる為のマスクM2を作製し、これらマスクを用いて重ね合わせてフォトレジスト上に所定のパターンを形成する。
請求項(抜粋):
フォトレジスト上に異なる複数のパターンを露光し、それらのパターンの合成によってレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成方法であって、露光するパターンのうちの一つを露光領域全面に同じ周期を持った周期的に配列されたパターンとして露光し、このパターンを基準として必要な部分のみを重ね合わせて、解像させるために、所望のパターン形状に応じて作成されたマスクを用意し、このマスクを用いてパターンを重ね合わせて露光することを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521
FI (2件):
H01L 21/30 502 C ,  H01L 21/30 528

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