特許

J-GLOBAL ID：200903009449620120

集束イオンビーム装置

発明者： 藤井 利昭 ,  足立 達哉
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041560
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260129
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 集束イオンビームによって加工観察した試料を、再び製造ラインに戻せるようにする。【構成】 集束されたGaなどのイオンビームを照射する装置と、Arのような半導体基板に影響を及ぼさない粒子のビームを照射する装置とを同一の試料室に装着し、半導体などのクリーンな状態を要求する試料に、集束イオンビームで配線変更や、断面観察を行った跡を、Arビームなどでクリーニングし、試料に注入されたイオンを除去する。【効果】 集束イオンビームで加工観察された試料を、製造ラインに戻せるようになる。

請求項（抜粋）：

十分に集束された液体金属のイオンビームを試料に所定領域を繰り返し走査しながら照射する液体金属イオンビーム照射装置と、前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームを照射する気体イオンビーム照射装置とが、同一試料室に装備されており、かつ液体金属のイオンビームと気体元素のイオンビームの照射位置が略同一位置に照射するように配置されていることを特徴とする集束イオンビーム装置。

IPC (3件)：

H01J 37/31 ,  H01J 37/28 ,  H01L 21/265

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-116843
  
• 特開昭59-168652
  
• 特開平1-137547