特許

J-GLOBAL ID：200903009452767719

放射線検出器およびアレイ型放射線検出器および二次元放射線撮像装置

発明者： 徳田 敏
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053188
公開番号（公開出願番号）：特開2001-242256
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 大面積でも膜や電極の剥離・そりが発生せず、かつ、良好な感度、良好な検出が得られる放射検出器の提供。【解決手段】 支持基板0上に形成される電極1bと、検出素子に対応して形成される画素電極1aとの間に、検出対象の放射線に感応してキャリアを生成する半導体多結晶膜(変換層)1が設けられ、この半導体多結晶膜をCdTe膜又はCdZnTe膜で形成すると共に、支持基板0をX線透過率が高く、かつ、多結晶半導体薄膜の材料のCdTeやCdZnTeに熱膨張係数が近い酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化シリコン、窒化シリコンのうちいずれか1つ又は任意の比率で混合したものを、焼成して形成した。

請求項（抜粋）：

基板上に形成される電極と、該電極に対応して形成される画素電極との間に、検出対象の放射線に感応してキャリアを生成する半導体多結晶膜が設けられている検出基板を備えた放射線検出器において、前記半導体多結晶膜をCdTe膜又はCdZnTe膜で形成すると共に、前記基板を酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化ケイ素のうちいずれか1つ又は複数の材料を任意の比率で混合したものを、焼成して形成したことを特徴とした放射線検出器。

IPC (7件)：

G01T 1/24 ,  G01T 1/29 ,  G01T 7/00 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335

FI (7件)：

G01T 1/24 ,  G01T 1/29 D ,  G01T 7/00 A ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A

Fターム (51件)：

2G088EE01 ,  2G088EE27 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088FF14 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA02 ,  4M118AA06 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA40 ,  4M118CB08 ,  4M118CB20 ,  4M118EA20 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB20 ,  4M118GA02 ,  4M118HA22 ,  4M118HA25 ,  5C024AX11 ,  5C024AX16 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX07 ,  5F088AB09 ,  5F088AB16 ,  5F088BA01 ,  5F088BA03 ,  5F088BA10 ,  5F088BA20 ,  5F088CB01 ,  5F088CB04 ,  5F088CB05 ,  5F088CB11 ,  5F088DA17 ,  5F088EA02 ,  5F088EA03 ,  5F088EA04 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088GA04 ,  5F088GA08 ,  5F088LA07