特許
J-GLOBAL ID：200903009454354039
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213163
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064057
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法に関し、ガードリングの表面の導電性に起因するヘテロ接合バイポーラトランジスタの劣化を抑制する。【解決手段】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ電極8とベース電極9との間のガードリング12の表面に反応性イオンエッチングによってダメージを与え、高抵抗領域13を形成する。
請求項（抜粋）：
エミッタ電極とベース電極との間のガードリングの表面にダメージ領域からなる高抵抗領域を有すると共に、前記高抵抗領域が少なくともベース層の上に存在することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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