特許
J-GLOBAL ID：200903009455796426
半導体電界効果型バイオセンサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124964
公開番号（公開出願番号）：特開平8-313478
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】信頼性が高くかつ量産性に優れた安価な半導体電界効果型バイオセンサならびにその製造方法を提供する。【構成】ガラス基板上の所定領域に島状に形成された半導体層と、前記ガラス基板上の前記半導体層の形成されていない領域に前記半導体層を囲んで埋設された絶縁膜層と、前記半導体層と前記絶縁膜層を被覆して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に積層して形成されたイオン感応膜とを有するイオン感応型電界効果トランジスタが形成され、前記イオン感応型電界効果トランジスタの前記イオン感応膜上の所定の領域に酵素固定化膜が形成されている半導体電界効果型バイオセンサ。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上の所定領域に島状に形成された半導体層と、前記ガラス基板上の前記半導体層の形成されていない領域に前記半導体層を囲んで埋設された絶縁膜層と、前記半導体層と前記絶縁膜層を被覆して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に積層して形成されたイオン感応膜とを有するイオン感応型電界効果トランジスタが形成され、前記イオン感応型電界効果トランジスタの前記イオン感応膜上の所定の領域に酵素固定化膜が形成されていることを特徴とする半導体電界効果型バイオセンサ。
FI (2件)：
G01N 27/30 301 L
, G01N 27/30 301 W
