特許
J-GLOBAL ID：200903009456872843
はんだバンプの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-136802
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008258
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 メッキ法で形成したはんだバンプの半導体基板への転写に関し、歩留り良くはんだバンプを転写する方法の実用化を目的とする。【構成】 ガラス基板1上のTi膜11上にはんだバンプ形成用の複数のAu電極12を形成し、このAu電極形成位置を除いてレジスト5で被覆し、Ti膜11を共通電極としてAu電極12上にはんだメッキを行った後、ガラス基板1を加熱してAu電極12上のはんだメッキ層6をはんだバンプ7とし、次に、ガラス基板1を裏返し、はんだバンプ7を半導体基板8上の基板側電極9に位置合わせして当接し、ガラス基板1をはんだの融点以上まで加熱して、はんだバンプ7を半導体基板8の基板側電極9上に転写した後、ガラス基板1をはんだバンプ7より取り除くことではんだバンプを形成する。
請求項（抜粋）：
ガラス基板(1)上にチタン膜(11)を形成した後、該チタン膜(11)上にはんだバンプ(7)形成用の複数の金電極(12)をパターン形成する工程と、該金電極(12)形成位置を除いてガラス基板(1)上のチタン膜(11)をレジスト(5)で被覆し、該チタン膜(11)を共通電極(4)として金電極(12)上にはんだメッキを行なう工程と、レジスト(5)を溶解除去した後、ガラス基板(1)を加熱して金電極(12)上のはんだメッキ層(6)をはんだバンプ(7)とする工程と、該はんだバンプ(7)が形成してあるガラス基板(1)を裏返し、該はんだバンプ(7)を予め半導体基板(8)上にパターン形成してある複数の基板側電極(9)に位置合わせして当接する工程と、該ガラス基板(1)をはんだの融点以上まで加熱して、はんだバンプ(7)を半導体基板(8)の基板用電極(9)上に転写する工程と、該ガラス基板(1)をはんだバンプ(7)より取り除く工程と、からなることを特徴とするはんだバンプの形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/321
, B23K 1/00 330
, H05K 3/20
, H05K 3/34 505
