特許

J-GLOBAL ID：200903009471664254

ウェーハの洗浄方法およびその装置

発明者： 佐藤 薫 ,  小林 敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132930
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326478
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 HFでは取りきれないCu、Fe、Ni、Cr、Zn等の重金属元素やこれらの金属イオン等を除去するためのドライ洗浄による半導体装置の洗浄方法およびその装置を提供すること。【構成】 常温または加熱しながら、常圧または減圧下で、無水HFガスとHClガスおよびN2 もしくは不活性ガスを供給することを特徴とする半導体装置の洗浄方法および加熱装置を備えた減圧室1に無水HFガス、HClガスおよびN2 もしくは不活性ガス供給源を接続したことを特徴とする半導体装置の洗浄装置により上記諸目的は達成される。

請求項（抜粋）：

常温または加熱しながら、常圧または減圧下で、無水HFガスとHClガスおよびN2 もしくは不活性ガスを供給することを特徴とするウェーハの洗浄方法。