特許

J-GLOBAL ID：200903009471681760

半導体レーザ装置の製造方法,及び半導体レーザ

発明者： 小野 健一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007167
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216463
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 p型基板から下クラッド層へのアクセプタ不純物の拡散を抑えることにより、下クラッド層厚を薄くする。【構成】 p型基板1上にp型下クラッド層3を結晶成長する際、基板とクラッド層の間に所定層厚のエピタキシャル層2をアンドープ成長する。この時、基板からのアクセプタの拡散によりアンドープ層部分のキャリア濃度が下クラッド層のキャリア濃度と同程度またはそれ以上になるようにアンドープ層の成長時間を調節する。【効果】 基板からのp型不純物の拡散を低減でき、下クラッド層厚を薄くできるので、結晶成長時間を短縮できるとともに、材料を節約できる。

請求項（抜粋）：

p型基板上に該p型基板よりも不純物濃度の低いp型下クラッド層を有する半導体レーザ装置を製造する方法において、上記p型基板上に所定の層厚のエピタキシャル層をアンドープ成長する工程と、上記アンドープ成長したエピタキシャル層上に上記p型下クラッド層をエピタキシャル成長する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。