シード層の改善されたステップカバレージを達成する圧力変調方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-349850
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223182
出願日： 2000年11月16日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】基板表面の高アスペクト比フィーチャへ材料を堆積する多数ステップのプロセスを提供する。【解決手段】プロセスは、第1の期間、第1の圧力で基板上に材料を堆積し、次いで、第2の期間、第2の圧力で基板上に材料を堆積するステップを含む。圧力の変調は、プラズマ環境でイオン化した粒子のイオン化および軌道に影響する。一局面での本発明の方法は、高圧ステップ中の高アスペクト比フィーチャ下部での最適な堆積と、少なくとも低圧ステップ中のフィーチャ側壁での増加した堆積を可能にする。

請求項（抜粋）：

基板に材料を堆積する方法であって、前記方法は:(a)第1の圧力で、チャンバ内にプラズマを提供するステップと;(b)前記チャンバ内に配設されるターゲットから材料をスパッタするステップと;(c)前記スパッタされた材料をイオン化するステップと;(d)第1のチャンバ圧力で、前記基板上へスパッタされた材料を堆積させるステップと;(e)少なくとも、前記第1のチャンバ圧力と第2のチャンバ圧力との間で、チャンバ内の前記圧力を変調するステップと;(f)前記第2のチャンバ圧力で前記基板上へスパッタされた材料を堆積させるステップと、を含む、堆積方法。

IPC (8件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 14/06 , C23C 14/14 , C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (9件)：

H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 R , C23C 14/06 A , C23C 14/14 D , C23C 14/34 N , C23C 14/34 A , H01L 21/203 S , H01L 21/88 R , H01L 21/90 A

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