半導体レーザ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260388
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102602
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザチップ2を搭載するヒートシンクにサージ電流に対する保護手段を設け、静電破壊耐能を向上させて、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。【構成】ヒートシンクにサージ電流を吸収するための集積回路を形成し、この集積回路と半導体レーザチップ2を電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

ヒートシンク上に搭載された半導体レーザチップを一定光出力で駆動する半導体レーザ装置であって、ヒートシンクにサージ電流を吸収するための集積回路を形成し、この集積回路と半導体レーザチップを電気的に接続したことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

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