特許

J-GLOBAL ID：200903009486940649

デバイス付きウエーハのプラナリゼーシヨンポリツシング方法及びその装置

発明者： 土肥俊郎 ,  中川威雄 ,  河西敏雄 ,  市川浩一郎 ,  稲田安雄
出願人/特許権者： 土肥 俊郎 ,  中川 威雄 ,  河西 敏雄 ,  不二越機械工業株式会社
代理人 (1件)： 秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-261472
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074749
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 ウェハーのデバイス表面の高度な平坦化を可能とした、プラナリゼーションポリッシング方法及びその装置を提供する。【構成】 加工面に研磨クロスを貼った定盤上にウェハーのデバイス面を接触させて載置する。下面が内部に圧力流体を密封した弾性体で形成されたトップリングを、ウェハー上に押し付けてデバイス面を研磨クロスに押圧する。定盤上にスリラーを供給しながら定盤を自転を伴わない円運動を行わせて研磨クロスとウェハーのデバイス面を擦り合わせ、ウェハーのデバイス面の平坦化を行う。ウェハーは、トップリングと共に定盤上を自転しながら公転させるようにしても良い。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハのデバイス面の平坦化を行うプラナリゼーションポリッシング方法において、加工面に研磨クロスを貼った定盤上にウェーハのデバイス面を接触させて載置し、内部に圧力流体を密閉した弾性体で下面が形成されたトップリングを、前記ウェーハ上に載置してウェーハのデバイス面を前記研磨クロスに押圧した後、定盤面にスラリーを供給しながら定盤を自転を伴わない円運動を行わせて研磨クロスとウェーハのデバイス面を擦り合わせ、ウェーハのデバイス面の平坦化を行うことを特徴とする、デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-155360
  
• 特開昭63-200966